(લિથિયમ મેટલ એનોડ) નવી આયન-તારવેલી નક્કર ઇલેક્ટ્રોલાઇટનો ઇન્ટરફેસિયલ તબક્કો

સોલિડ ઇલેક્ટ્રોલાઇટ ઇન્ટરફેસ (એસઇઆઈ) નો ઉપયોગ એનોડ અને ઇલેક્ટ્રોલાઇટ વચ્ચેના કાર્યકારી બેટરીમાં રચાયેલા નવા તબક્કાને વર્ણવવા માટે થાય છે. ઉચ્ચ energy ર્જા ઘનતા લિથિયમ (એલઆઈ) મેટલ બેટરીઓ ડેંડ્રિટિક લિથિયમ જુબાની દ્વારા બિન-યુનિફોર્મ સેઇ દ્વારા માર્ગદર્શિત દ્વારા ભારે અવરોધાય છે. તેમ છતાં, લિથિયમ જુબાનીની એકરૂપતા સુધારવા માટે તેના અનન્ય ફાયદાઓ છે, વ્યવહારિક એપ્લિકેશનોમાં, એનિઓન-ડેરિવેટેડ SEI ની અસર આદર્શ નથી. તાજેતરમાં, ઝંગ કિયાંગના ત્સિંગુઆ યુનિવર્સિટીના સંશોધન જૂથે સ્થિર આયન-ડેરિવેટેડ SEI બનાવવા માટે ઇલેક્ટ્રોલાઇટ સ્ટ્રક્ચરને સમાયોજિત કરવા માટે આયન રીસેપ્ટર્સનો ઉપયોગ કરવાની દરખાસ્ત કરી હતી. ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપવાળા બોરોન અણુઓવાળા ટ્રાઇસ (પેન્ટાફ્લોરોફેનિલ) બોરેન એનિઓન રીસેપ્ટર (ટી.પી.એફ.પી.બી.) એફએસઆઈ- ની ઘટાડો સ્થિરતા ઘટાડવા માટે બીઆઈએસ (ફ્લોરોસલ્ફોનિમાઇડ) આયન (એફએસઆઈ) સાથે સંપર્ક કરે છે. આ ઉપરાંત, ટીએફપીપીબીની હાજરીમાં, એફએસઆઈના આયન ક્લસ્ટરો (એજીજી) નો પ્રકાર બદલાયો છે, અને એફએસઆઈ- વધુ એલઆઈ+સાથે સંપર્ક કરે છે. તેથી, એફએસઆઈના વિઘટનને લિ 2 ઉત્પન્ન કરવા માટે પ્રોત્સાહન આપવામાં આવે છે, અને એનિઓન-ડેરિવેટેડ સેઇની સ્થિરતામાં સુધારો થયો છે.

SEI એ ઇલેક્ટ્રોલાઇટના નિવારક વિઘટન ઉત્પાદનોથી બનેલું છે. એસઇઆઈની રચના અને રચના મુખ્યત્વે ઇલેક્ટ્રોલાઇટની રચના દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે, એટલે કે, દ્રાવક, આયન અને લિ+વચ્ચેની માઇક્રોસ્કોપિક ક્રિયાપ્રતિક્રિયા. ઇલેક્ટ્રોલાઇટની રચના માત્ર દ્રાવક અને લિથિયમ મીઠાના પ્રકાર સાથે જ નહીં, પણ મીઠાની સાંદ્રતા સાથે પણ બદલાય છે. તાજેતરનાં વર્ષોમાં, ઉચ્ચ સાંદ્રતા ઇલેક્ટ્રોલાઇટ (એચસીઇ) અને સ્થાનિક ઉચ્ચ-સાંદ્રતા ઇલેક્ટ્રોલાઇટ (એલએચસીઇ) એ સ્થિર એસઇઆઈ રચીને લિથિયમ મેટલ એનોડ્સને સ્થિર કરવાના અનન્ય ફાયદા દર્શાવ્યા છે. સોલવન્ટથી લિથિયમ મીઠુંનું દા ola નો રેશિયો ઓછો છે (2 કરતા ઓછો) અને એનિઓન્સ એલઆઈ+ની પ્રથમ સોલવેશન આવરણમાં રજૂ કરવામાં આવે છે, જે એચસીઇ અથવા એલએચસીઇમાં સંપર્ક આયન જોડી (સીઆઈપી) અને એકત્રીકરણ (એજીજી) બનાવે છે. સેઇની રચના ત્યારબાદ એચસીઇ અને એલએચસીઇમાં એનિઓન્સ દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે, જેને આયન-ડેરિવેટેડ સેઇ કહેવામાં આવે છે. લિથિયમ મેટલ એનોડ્સને સ્થિર કરવામાં તેના આકર્ષક પ્રદર્શન હોવા છતાં, વર્તમાન આયન-ડેરિવેટ સીઆઈએસ વ્યવહારિક પરિસ્થિતિઓના પડકારોને પહોંચી વળવા માટે અપૂરતા છે. તેથી, વાસ્તવિક પરિસ્થિતિઓમાં પડકારોને દૂર કરવા માટે આયન-તારવેલી SEI ની સ્થિરતા અને એકરૂપતામાં વધુ સુધારો કરવો જરૂરી છે.

સીઆઈપી અને એજીજીના રૂપમાં આયનો એનિઓન-ડેરિવેટેડ સેઇ માટે મુખ્ય પૂર્વવર્તી છે. સામાન્ય રીતે, ions નોની ઇલેક્ટ્રોલાઇટ રચના પરોક્ષ રીતે લિ+દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે, કારણ કે દ્રાવક અને પાતળા અણુઓનો સકારાત્મક ચાર્જ નબળો સ્થાનિકીકૃત છે અને સીધા ions નો સાથે સંપર્ક કરી શકતો નથી. તેથી, એનિઓનિક ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સની રચનાને સીધા એનિઓન્સ સાથે વાતચીત કરીને નિયમન માટેની નવી વ્યૂહરચનાઓ ખૂબ અપેક્ષિત છે.